一、保护对象扩容，光子与量子芯片不再「无处可依」。

修订后条例第三条明确，对集成光子、量子等功能的集成电路的布图设计，可以依照本条例的规定予以保护。这条规定的意义在于填补空白——光子芯片依靠波导排布等版图架构实现功能，量子芯片的线路结构同样高度依赖版图设计，但在原条例「半导体材料为基片、以电子功能为目标」的定义下，这类设计的可保护性长期存疑。修订后，设计投入可以转化为可登记、可主张的专有权。产品路线涉及硅光、光计算、量子计算的企业，应重新盘点现有设计的登记状态。

二、独创性声明成为必备文件，登记质量要求实质提高。

条例第二十二条将「布图设计的独创性声明」列为申请必交材料；第二十四条进一步要求声明应指明具有独创性的设计区域、设计要点以及相应功能，若布图设计整体具有独创性，须在声明中具体说明。与之配套，第二十三条要求提交的复制件或图样能够清楚显示该独创性部分，第三十四条则明确：受保护的布图设计以登记的复制件或图样所显示的为准，独创性声明可以用于解释其独创性。这一组条文把登记文件从「形式备案」推向「权利界定文件」——声明写得含糊，日后主张权利时就缺乏解释依据。

三、赔偿规则补强，故意侵权可判一至五倍惩罚性赔偿。

条例第四十六条规定，侵权赔偿数额按权利人实际损失或侵权人获利确定；难以确定的，参照许可使用费的倍数合理确定；对故意侵权且情节严重的，可按上述方法确定数额的一倍以上五倍以下确定赔偿数额，赔偿数额还应包括权利人为制止侵权行为支付的合理开支。同时第九条引入诚实信用原则，明确不得滥用专有权损害他人合法权益，滥用排除、限制竞争构成垄断的，依《反垄断法》处理。

过渡安排与登记稳定性提示：

过渡安排需要注意时间点：申请日在2026年10月15日以后（含当日）的登记申请及由此产生的专有权，适用修订后条例，申请文件也须按新规提交；申请日在此之前的，原则上适用修订前条例。此外，条例将撤销程序向公众开放——任何人发现登记不符合规定的，均可请求撤销，登记被撤销的，专有权视为自始即不存在。这意味着已登记布图设计的稳定性将接受更广泛的社会监督，企业在申请阶段即应确保申请材料与真实创作活动一致。配套细则共7章56条，自10月30日起施行，新增「行使专有权的手续」专章，对转让登记、许可合同备案、质押登记等业务作出统一要求；许可合同应自生效之日起3个月内备案。

来源：国务院 / 国家知识产权局
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